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美國國防高級研究計劃局表示，計劃明年夏天授予一份合同，建立美國先進微電子制造中心。
該計劃被稱為“下一代微電子制造”，將資助研究和設備，以創建一個國內尖端制造技術原型制作中心，DARPA 希望該中心將為美國半導體工業基地帶來領先優勢。 目標是到 2029 年實現這一能力。
該中心將專注于 3D 異構集成微系統（3DHI）——一種先進的微電子制造方法。 3DHI 研究的前提是，通過以不同的方式集成和封裝芯片組件，制造商可以分解內存和處理等功能，從而顯著提高性能。
這一技術領域不僅可以改變美國的工業基礎，而且包括全球微電子生產領導者臺灣在內的其他國家也對此有著濃厚的興趣。
“目前，美國沒有具備 3DHI 研發綜合能力的開放制造中心，”DARPA 在 11 月 20 日的計劃公告中表示。 “預計微電子創新的下一波主要浪潮將來自于通過先進封裝集成異構材料、設備和電路的能力，DARPA 提議專門為下一代 3DHI 建立一個國家加速器。”
7月，該機構選擇了11個團隊開始該中心的基礎工作。 DARPA 本周表示，計劃為該計劃的接下來兩個階段選擇一個團隊，每個階段的獎金高達 4.2 億美元。
根據這種伙伴關系（稱為其他交易協議），選定的團隊還將資助部分工作。 DARPA 計劃于 11 月 28 日向業界通報這一努力。
美國從臺灣和中國大陸出口大部分先進半導體，這兩個國家在全球市場占據主導地位。 近年來，人們越來越擔心這些為汽車、手機和國防部主要武器提供動力的關鍵微系統過度依賴外國供應鏈。
DARPA 通過 NGMM 等努力關注前瞻性技術，這與美國政府通過《創造半導體生產有益激勵措施》（CHIPS 法案）來促進當今國內半導體工業基礎的更廣泛努力不同。 該措施于 2022 年獲得國會通過，并將持續到 2026 年，并為半導體勞動力改善工作、研發和制造提供資金。 它還為國內制造設施和設備的投資提供 25% 的稅收抵免。
雖然《CHIPS 法案》的重點是在短期內支撐美國的供應基礎，但 DARPA 在這一領域的努力是面向“下一波創新”。
NGMM 是這些努力的核心，屬于該機構的電子復興計劃 2.0 的范疇，該計劃旨在解決影響美國國家安全和商業行業的技術挑戰。
NGMM 第一階段將重點關注購買設備、創建基礎制造工藝以及建立適合 3DHI 系統的自動化和仿真軟件。 第二階段的重點是創建硬件原型、自動化流程和開發仿真功能。
DARPA 表示：“該計劃的最終目標是在非聯邦實體擁有和運營的現有設施中建立一個自我維持的 3DHI 制造中心，并可供學術界、政府和工業界的用戶使用。” “衡量成功的標準是能否以合理的成本支持各種高性能 3DHI 微系統的設計、制造、組裝和測試，并以支持快節奏創新研究的周期時間。”
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